常见的Power layout规则
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本文作者:Evel
阅读次数:3973
发布日期:2011-04-23
 
总结一些常见Power layout规则:(一家之言,欢迎交流)

开关电源选型以及概要
1、旁路瓷片电容器的电容不能太大,而它的寄生串联电感应尽量小,多个电容器并联能改善电容的高频阻抗特性。
2、电感的寄生并联电容应尽量小,电感引脚焊盘之间的距离越远越好。
3、應避免高頻電流跨Moat,以免產生很強的電磁輻射
4、高頻環路的面積要盡量減小
5、VIA不要破壞高頻電流在reference plane上的回路
6、要將模擬電路、數字電路、開關電源電路的GND Plane分割開,Analog GND & Digital GND通過單點與開關電源的GND Plane連接,以避免開關電源雜訊的影響。

Phase鋪銅

1. Phase舖銅僅在表層(Top & Bottom side) ,嚴禁內層舖銅。
2. Phase舖銅區域與CHOKE下方(鄰層)不可有任何訊號線通過,建議舖銅 GND 隔絕,包
含 Vcc 層。建議在畫Moat時,先計劃在Power 區域挖空鋪GND;其它Signal層也要鋪
GND,防止Trace進入,把Noise帶到其它區域去。

对于gate and Phase trace(NB为例)



1. High side gate 與Phase 線成pair 方式走,不能與Low side gate 以任何方式交叉或重疊。
2. High side gate 與 Phase Trace 對一般的Power來說寬度只需20mil ,而如Vcore Power 則需要40mil,若MOS與Power controller的距離較遠,甚至需要60mil。與其他via 和trace 需保持40mil 以上space。
3. High side gate 與 Phase trace的via 間距愈小愈好。
4. 所有從MOS或Choke拉回IC的線都必須在其pin旁立即下via 換層拉回。應盡里避免用表層走這些trace:High(Low) side gate, Phase, PWR。

Power controller IC



1. High side gate 與Phase 線成pair 方式走,不能與Low side gate 以任何方式交叉或重疊。
2. Hi side gate, Phase & Low side gate 回IC的路上不要穿過Choke.且路徑越短越好。
3. 盡量避免其它信號從IC下方穿過,即controller IC不要放在其它信號的通道上。
4. IC 與其周邊元件盡量放同一層,且內層不要有DCBATOUT從其中穿過。小元件嚴格
   按照電路圖的要求擺放即可。
5. 所有從IC拉出的線都必須與Pin保持同線寬。
6. 在此區域有另一種net的Power_GND。可以用另一個表層用Shape的方式在整個IC及其周邊元件的范圍下鋪起來。也可用Shape在IC層把這些元件全部包圍起來。
 
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